Компании AMD, IBM и Toshiba вчера совместно объявили о том, что они вплотную подобрались к производству оперативной памяти по 22-нанометровой технологии.

Разработанные ячейки SRAM площадью всего 0.128 мкм² являются своего рода плацдармом для дальнейшего перехода к вышеназванному техпроцессу. Использование материалов с высоким значением диэлектрической константы (high-k) и транзисторов с металлическим затвором, которые были задействованы при создании последнего поколения процессоров, позволило сделать ячейки памяти более чем в два раза меньше существующих. А это в свою очередь позволить повысить плотность их размещения на той же площади, что естественно приведет к увеличению емкости модулей.

Кроме того, представители Toshiba рассказали, что имели место испытания и более мелких ячеек площадью всего 0.063 мкм², и они тоже работали достаточно стабильно. Так что не за горами тот день, когда в один слот будет вставляться гигабайт по 12 памяти.

по материалам electronista